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產(chǎn)品展示/ PRODUCTS PLAY

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高精度擴散硅壓力變送器DBYG-5000/ST201

描述:高精度擴散硅壓力變送器DBYG-5000/ST201簡介
精度高,最高精度可達0.1%FS ,有外部零點及滿度調(diào)整可選,適合測量低壓量程 ,

過載壓力強。

  • 產(chǎn)品型號:DBYG-5000/ST201-
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2024-12-20
  • 訪問量:983
產(chǎn)品介紹/ PRODUCT PRESENTATION

高精度擴散硅壓力變送器DBYG-5000/ST201產(chǎn)品概述:

擴散硅壓力變送器采用進口芯片,經(jīng)過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計,信號處理和組裝,并按照國家標(biāo)準(zhǔn)和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn),進行測試而生產(chǎn)出來的新一代測量元件。AO910系列擴散硅壓力變送器 采用的高精度高穩(wěn)定傳感器,配以ASIS高性能放大電路,經(jīng)過數(shù)千次疲勞沖擊,高,低溫循環(huán)老化及精密的數(shù)字溫度補償工藝,再經(jīng)過不銹鋼全封焊(激光焊接)精制而成。

高質(zhì)量的傳感器,嚴(yán)格的校驗工藝,及完善的裝配工藝確保了AO910系列擴散硅壓力變送器的優(yōu)異品質(zhì)。

高精度擴散硅壓力變送器DBYG-5000/ST201

高精度擴散硅壓力變送器DBYG-5000/ST201工作原理:

系列擴散硅壓力變送器工作原理:利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機械加工技術(shù),在單晶硅片的特定晶向上,用光刻、擴散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋,形成敏感膜片,當(dāng)受到外力作用時產(chǎn)生微應(yīng)變,電阻率發(fā)生變化,使橋臂電阻發(fā)生變化(一對變大一對變小)在激勵電壓信號輸出,經(jīng)過計算機溫度補償、激光調(diào)阻、信號放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測、標(biāo)定等工藝,生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號的壓力變送器。

一般應(yīng)變式傳感器輸出僅為10mv左右,而擴散硅傳感器滿量程輸出為100mv左右,干擾及噪聲等因素影響相對較小,放大電路成本也相應(yīng)降低,分辨率大大提高。零壓力附近無死區(qū)。

擴散硅壓阻式壓力傳感器實現(xiàn)了壓力受感,壓力傳遞力一電轉(zhuǎn)換由同一元件上實現(xiàn),無中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),無壓力滯后,無機械位移變形,保證了極小的重復(fù)性和遲滯誤差,和良好的線性度,無蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長。

由于采用了激光調(diào)阻,計算機補償?shù)葍?yōu)良技術(shù)和巧妙控制擴散濃度,實現(xiàn)滿量程溫度漂移(靈敏度溫度系數(shù))自補償??朔税雽?dǎo)體晶片本身溫度系數(shù)大的缺陷,使變送器的零位和滿度溫漂達到了較高的水準(zhǔn),拓寬了使用溫區(qū)。

擴散硅壓力傳感器,變送器具有低電流,低電壓,低功耗的特點,屬于本質(zhì)安全防爆型產(chǎn)品,并已取得了國家安全防爆機構(gòu)頒發(fā)的防爆證書。

產(chǎn)品由于采用了不銹鋼材質(zhì)與特殊防護結(jié)構(gòu),和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護手段,提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力,*適合一般工業(yè)現(xiàn)場測量和控制的需要。

使用對象:液體、氣體或蒸汽

測量范圍

表壓: 0~5KPa~3.5MPa , 密封表壓:0~7MPa~100MPa

絕壓: 0~20KPa~35MPa , 負(fù)壓:-0.1MPa~2MPa

輸 出:4~20mADC

電 源:12~36VDC

負(fù)載特性:4~20mADC二線制

溫度范圍:-40℃~+ 85℃

外殼防護:優(yōu)于IP65

防爆類型:隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6應(yīng)外配安全柵

綜合精度:精度等級:0.1%、0.2%

穩(wěn) 定 性:優(yōu)于±0.25%FS/3年

溫度影響:

-10℃~+ 60℃范圍內(nèi): 變化量小于±0.1%/ 10℃(0.1級)

變化量小于±0.15%/ 10℃(0.2級)

-30℃~ -10℃范圍內(nèi)和60℃~+ 85℃范圍內(nèi): 變化量小于±0.15%/ 10℃(0.1級)

變化量小于±0.20%/ 10℃(0.2級)

振動影響: 在任何方向上振動頻率為20-200Hz時,變化量小于±0.02% BFSL

沖擊影響: 任何方向100G沖擊11ms后,變化量小于±0.02% BFSL

負(fù)載影響: 只要輸入變送器的端子電壓高于12V,就無負(fù)載影響。

位置影響: 安裝位置不影響零點

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